TY -的A2 -罗西,马可盟——Darmenkulova m . b . AU - Aitzhanov m . b . AU - Zhumatova Sh。a . AU - Ibraimov m . k . AU - Sagidolda你们。PY - 2022 DA - 2022/05/31 TI -改变Carbon-Doped硅纳米结构的光学性质的影响下一个脉冲电子束SP - 1320164六世- 2022 AB -工作,与观察多孔硅光致发光是由p型硅衬底掺杂硼和晶体取向(100)使用电化学蚀刻的方法在解决方案包含H₂(SiF₆)(硅氢氟酸)和酒精。薄碳膜喷在室温下通过高频磁控溅射到多孔硅的表面。结果carbon-doped薄膜的多孔硅在脉冲电子辐照助推器和比较未照射的电影是用多孔硅。理解的影响碳的性质由拉曼光谱分析了多孔硅薄膜样品,分光光度法和扫描探针显微镜(SPM)。SPM的结果表明,样品的粗糙度增加后碳掺杂多孔硅表面。因此,第一次试验结果的影响辐照carbon-doped获得的多孔硅在溶液中含有氢hexafluorosilicate H₂(SiF₆)和显著改变其光学性质。研究结果表明,辐照样品carbon-doped未照射样品相比,多孔硅光致发光更好。SN - 1687 - 9503你2022/1320164 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2022/1320164——摩根富林明——纳米技术杂志PB - Hindawi KW - ER