TY -的A2 -阿雷纳,劳尔盟——Natarajamoorthy Mathan盟——印度,Jayashri盟——别名,Nurul Ezaila AU - Tan,迈克尔·龙彭PY - 2020 DA - 2020/04/30 TI -稳定性改善的一个高效石墨烯Nanoribbon场效应电晶体SRAM设计SP - 7608279六世- 2020 AB -纳电子学的发展,半导体器件的萎缩导致晶体管通道进入纳米尺寸。然而，随着晶体管尺寸的缩小，出现了一些障碍，主要是各种短通道效应。石墨烯纳米带场效应晶体管(GNRFET)是一种新兴技术，有望解决传统平面MOSFET在量子力学(QM)效应作用下的问题。由于其优异的电子特性，GNRFET也可用于静态随机存取存储器(SRAM)电路设计。对于高速运行，SRAM单元更可靠和更快，被有效地利用作为内存缓存。晶体管尺寸限制影响传统的6T SRAM在访问和写入稳定性的权衡。本文研究了以15nm的gnrft为基础的6T和8T SRAM细胞与16nm的FinFET和16nm的MOSFET细胞在保留、访问和写入方式方面的稳定性性能。在synopsys HSPICE中对SRAM模型的设计和仿真进行了仿真。在静态噪声裕度(SNM)和功耗方面，GNRFET、FinFET和MOSFET 8T SRAM单元比6T SRAM单元有更好的性能。仿真结果表明，GNRFET、FinFET和基于mosfeet的8T SRAM单元对GNRFET、FinFET和基于mosfeet的6T SRAM的接入静态噪声裕度分别显著提高了58.1%、28%和20.5%，平均功耗分别显著提高了97.27%、99.05%和83.3%。 SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2020/7608279 DO - 10.1155/2020/7608279 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi KW - ER -