TY -的A2 Miroshnichenko安德烈e . AU - Priya Anjali盟,斯利瓦斯塔瓦Nilesh Anand盟——Mishra Ram Awadh PY - 2019 DA - 2019/03/28 TI -设计与分析纳米Recessed-S / D SOI MOSFET-Based Pseudo-NMOS逆变器低功耗电子产品SP - 4935073六世- 2019 AB -本文对纳米级三金属栅(TMG)隐式源漏(Re-S/D)全耗尽绝缘子上硅(FD SOI)场效应晶体管(MOSFET)进行了对比分析，用于纳米级伪nmos逆变器的设计。为此，首先建立了阈值电压的解析模型，研究了器件的短通道抗扰性，并与仿真结果进行了验证。在这种结构中，backchannel反转的新概念被用于器件性能的研究。通过改变器件的参数，如金属栅极长度的比值和TMG Re-S/D SOI MOSFET的隐式源极/漏极厚度，分析了阈值电压。从隐源/漏极厚度和金属栅极长度比方面探讨了漏极诱导势垒降低(DIBL)，以检验短通道效应(SCEs)。为了准确估计结果，我们还研究了现有的多金属栅结构与TMG Re-S/D SOI MOSFET在静电性能方面的比较，即阈值电压、亚阈值斜率和通断电流比。利用Silvaco ATLAS的TCAD数值模拟软件对这些结构进行了研究。此外，首次设计了基于TMG Re-S/D FD SOI mosfet的伪nmos逆变器，以观察器件在电路级的性能。实验结果表明，该器件具有较高的抗噪性和最佳的开关特性，所研究电路的传播延迟为0.43 ps。 SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2019/4935073 DO - 10.1155/2019/4935073 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi KW - ER -