TY - JOUR A2 - Khabashesku, Valery AU - Boolchandani, Sarita AU - Srivastava, Subodh AU - Vijay, y.k. PY - 2018 DA - 2018/02/01 TI - Thermal vapor Method Preparation of InSe Thin Films and Their Characterization:SP - 9380573 VL - 2018 AB -铟硒(InSe)双层薄膜的结构、光学和热电性能 _xSe_{(1 - x）}（ x= 0.25, 0.50, 0.75)，在保持整体厚度为2500 Ǻ的玻璃基板上采用高真空气氛下热蒸发法沉积。比较了这些双层薄膜在不同温度下热处理前后的电学、光学和结构性能。采用XRD和SEM分别对其结构和形貌进行了表征。用Tauc关系式计算了这些薄膜在1.99 ~ 2.05 eV范围内的光学带隙。设计了一种简单、低成本的热电功率测量装置，可测量塞贝克系数。 年代在真空中随温度变化。设置温度变化高达70°C。这个装置包含一个佩尔蒂埃器件TEC1-12715，它被保存在作为参考金属的两块铜板之间。此外，本文还计算了硒化铟(InSe)和硒化铝(AlSe)双层薄膜的热电功率。通过估计InSe和AlSe双层薄膜的塞贝克系数，测量了其热电功率。结果表明，InSe和AlSe薄膜的塞贝克系数均为负值。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2018/9380573 DO - 10.1155/2018/9380573 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi KW - ER -