TY -的A2 -雷,Paresh钱德拉盟——哲人,等非盟- Rai (Sanjeev PY - 2017 DA - 2017/11/26 TI -建模、仿真和分析小说的阈值电压定义Nano-MOSFET SP - 4678571六世- 2017 AB -阈值电压( V _TH在MOSFET)是不可缺少的重要参数设计、建模和操作。不同的阐述和提取方法存在模型设备的开关过渡特征。有效的管理指标阈值电压的定义和提取方法可以列为清晰、简洁,精度和稳定整个操作条件和技术节点。提取方法的结果偏离准确值由于各种短沟道效应(sc)和nonidealities出现在设备。一个新的方法来定义和提取的真正价值 V _TH提出了MOSFET的手稿。增强SCE-independent随后的小说 V _TH提取方法命名为“混合外推 V _TH阐述了萃取法”(HEEM),建模,并与一些流行的MOSFET的阈值电压提取方法的验证结果。所有结果都验证了广泛的2 d TCAD仿真和分析确定各技术节点。SN - 1687 - 9503你2017/4678571 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2017/4678571——摩根富林明——纳米技术杂志PB - Hindawi KW - ER