TY - JOUR A2 - Capobianco, John A. AU - Nowozin, Tobias AU - Narodovitch, Michael AU - Bonato, Leo AU - Bimberg, Dieter AU - Ajour, Mohammed N. AU - Daqrouq, Khaled AU - Balamash，我们在自组装InAs/Al中证明了一种记忆效应_0．9遗传算法_０.１当量子点(QDs)接近室温时。量子点层嵌入到调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)中，该晶体管允许量子点充放电，并读出量子点的逻辑状态。量子点的空穴存储时间从200 K时的秒减少到室温时的毫秒。技术文库>资源分类>行业论文>医学论文> SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2013/797964 DO - 10.1155/2013/797964 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -