TY - JOUR A2 - Rao, A. M. AU - Bornacelli, Jhovani AU - Reyes Esqueda, Jorge Alejandro AU - Rodríguez Fernández, Luis AU - Oliver, Alicia PY - 2013 DA - 2013/01/15 TI - Improving Passivation Process of Si Nanocrystals Embedded in SiO₂使用金属离子注入SP - 736478 VL - 2013 AB - 我们研究了嵌入的SiO光致发光硅纳米晶体的（PL）（SI-NCS）₂通过在MEV能量下通过离子植入获得。Si-ncs在高深（1-2  μ.m）在sio内₂实现强大而更好的保护系统。金属离子注入（Ag或Au）之后，在含氢气氛下在600℃下进行随后的热退火，PL信号显示出明显的增加。离子金属注入在能量下进行，使得其在二氧化硅内部的分布不与先前植入的Si离子重叠。在适当的退火下，Ag或Au纳米颗粒（NPS）可以核化，并且来自Si-NCs的PL信号可能由于等离子体相互作用而增加。然而，离子金属注入诱导的损伤可以增强氢或氮气的量，其扩散到SiO中₂矩阵。结果，Si-NCS上的表面缺陷可以更好地钝化，因此，增强了系统的PL。我们选择了不同的大气（空气，h₂/ N.₂和AR）在金属离子注入后，研究来自Si-NCs的这些退火气体在最终PL上的相关性。PL和时间分离的PL的研究表明，当离子金属注入时，Si-NCS上表面缺陷的钝化过程更有效。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2013/736478 Do - 10.1155 / 2013/736478 JF - 纳米技术PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -