TY - JOUR A2 - Sun, Xiao Wei AU - Nowozin, T. AU - Wiengarten, A. AU - Bonato, L. AU - Bimberg, D. AU - Lin, Wei- hsun AU - Lin, Shih-Yen AU - Ajour, M. N. AU - Daqrouq, K. AU - Balamesh，技术文库>资源分类>行业论文>医学论文> Electronic Properties and Density of States of self-assemble GaSb/GaAs Quantum Dots C-V)和深层瞬态光谱学(dlt)。测定了不同温度下量子点的充放电偏置区域。对于相同的材料体系，当局域能为335(±15)meV时，局域能相对较小。同样，测量了一个非常小的表观捕获截面( 1 · 10 − 16 厘米²）.dlt信号分析得到了单个能量的等效集合态密度以及集合中量子点约束能的密度函数。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2013/302647 DO - 10.1155/2013/302647 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -