TY -的A2钦Yap轭盟——这么做,v . s . AU - Funde, a . m . AU - Kamble m . m . AU -帕拉,m . r . AU - Hawaldar r . r . AU - Amalnerkar, d . p . AU -•萨瑟v . g . AU - Gosavi, s . w . AU - Jadkar s . r . PY - 2011 DA - 2011/07/07 TI -氢化纳米晶体硅薄膜由热线法与变化过程压力SP - 242398六世- 2011 AB -氢化纳米晶体硅薄膜是由热线法在低衬底温度(200^∘C)没有氢稀释硅烷(硅₄)。各种技术,包括拉曼光谱,低角x射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(紫外可见),被用来描述这些影片的结构和光学特性。电影在相当高的沉积率(> 15 A / s),非常感谢为制造成本的有效设备。不同的水晶分数(从2.5%到63%)和微晶大小(3.6 - -6.0海里)可以通过压力控制过程。可以看出过程压力增加,电影中的氢键变化Si-H Si-H₂和 ( Si-H 2 ) n 复合物。电影中发现的带隙范围1.83 - -2.11 eV,而氢含量仍< 9。%在整个范围的过程压力进行了研究。易于沉淀电影与可调带隙是有用的串联太阳能电池的制造。结构和光学性质之间的相关性被发现并详细讨论。SN - 1687 - 9503你2011/242398 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2011/242398——摩根富林明-纳米技术杂志PB Hindawi出版公司KW - ER