TY - A2的保险箱,杰弗瑞l . AU - Morbec j . m . AU -古板,r . h . PY - 2011 DA - 2011/07/18 TI -碳簇的理论研究碳化硅纳米线SP - 203423六世- 2011 AB -使用采用方法我们进行碳簇的理论研究碳化硅(SiC)纳米线。我们检测了沿着[100]和[111]方向生长的氢钝化SiC纳米线中含有碳填隙和反晶石的小团簇。这些团簇的形成能被计算为碳浓度的函数。我们证实了碳化硅纳米线中碳缺陷的能量稳定性在很大程度上取决于纳米线表面的组成:碳涂层[100]SiC纳米线中最有利的能量结构预计不会发生在硅涂层[100]SiC纳米线中。同时还得到了一些团聚体的结合能，表明碳化硅纳米线中碳簇的形成在能量上是有利的。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2011/203423 DO - 10.1155/2011/203423 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -