TY - JOUR A2 - Shalaev, Vladimir M. AU - Malferrari, L. AU - Jagminienė， A. AU - Veronese, G. P. AU - Odorici, F. AU - Cuffiani, M. AU - Jagminas，A. PY - 2009 DA - 2009/05/26 TI -氧化铝模板依赖型钴纳米线阵列的生长 西北)，揭示了几种特殊情况。与交流电沉积硫酸氧化铝模板的均匀填充相比，Co的不均匀生长是明显的 西北草酸模板获得了簇状和蘑菇。我们在这里首次证明了这种构型是由钴的自发生长引起的 西北在铝/氧化铝界面钴球中演化而来的基团。然而，均匀生长的钴致密堆积 西北在低电流密度下，以草酸为模板，在单面涂覆导电层，通过长时间直流恒流沉积获得了长达数十微米的阵列。这种状态的独特之处在于六边形晶格的形成 拥有核武器的国家具有优选的(100)增长方向。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2009/149691 DO - 10.1155/2009/149691 JF - Journal of Nanotechnology PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -