TY - JOUR A2 - Ghibaudo，杰拉德AU - 莫，海丰AU - 张，耀辉AU - 宋，Helun PY - 2019 DA - 2019年7月14日TI - 改善线性和RF LDMOS的健壮性通过减少准饱和效应SP -8425198 VL - 2019 AB - 本文讨论的线性度和耐用性，共同为首次披露的方式加以改进。它揭示了非线性跨导与设备在准饱和区的工作是器件的线性的显著因素。峰值电场是电子速度饱和的根本原因。在靠近漏极漂移区中的高电场会引起生成的触发寄生NPN晶体管导通，这可能导致设备故障更多电子 - 空穴对。用不同的漂移区的掺杂装置模拟了TCAD和测量。与LDD4掺杂，在漂移区域中的峰值电场被降低;跨导的线性区域变宽。相邻信道功率比是通过2 dBc的下降;12％更多的功率能够之前NPN晶体管导通被排出，表明更好的线性度和鲁棒性。 SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2019/8425198 DO - 10.1155/2019/8425198 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi KW - ER -