有源和无源电子元件

的具有高信号隔离的四端口双模双工器的易于被呈现。与Rx和Tx模块之间的高信号隔离的紧凑双模双工器通过仅使用一个谐振器滤波器的拓扑结构是可以实现的。两回到后端双模双工器具有在一个支路中的180°相移。高隔离度可以通过振幅和相位消除技术来实现。延迟传输线可以通过移相器可以容易地实现。The simulated and measured four-port dual-mode diplexers are designed at the centre frequency of Rx/Tx at 1.95 GHz and 2.14 GHz, respectively. The measured results of Rx/Tx dual-mode diplexer devices are presented with 47.1 dB Rx/Tx isolation. This four-port dual-mode diplexer achieves the isolation (年代₃₂)，比传统的三口双模双工器结构高24.1 dB以上。

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模拟和测试了栅极屏蔽结构接地LDMOS器件的变化，旨在同时解决热载波抗扰度和鲁棒性问题。通过对栅极屏蔽结构的优化配置，降低了栅极与漏极重叠处的局部电场强度，提高了热载流子的抗扰度，同时实现了栅极一侧均匀的电场分布，增强了系统的鲁棒性。通过仿真和硅数据分析了热载波抗扰度(HCI)和鲁棒性的设计权衡。

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本文基于二元决策图（BDD）表示提出了一种逻辑合成方法。所提出的方法是为双阈值独立栅（DTIG）的FinFET电路优化。基于BDD-拓扑优化的算法进行了详细说明。有些种类的一个BDD的特征子结构由提取算法提取，然后馈送到映射算法得到基于预定义的FinFET DTIG逻辑门的最终优化的电路。一些MCNC基准电路通过与ABC，DC工具比较所提出的合成方法下进行测试。仿真结果表明，所提出的合成方法可以得到用于DTIG的FinFET电路性能的提高。

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本文讨论的线性度和耐用性，共同为首次披露的方式加以改进。它揭示了非线性跨导与设备在准饱和区的工作是器件的线性的显著因素。峰值电场是电子速度饱和的根本原因。在靠近漏极漂移区中的高电场会引起生成的触发寄生NPN晶体管导通，这可能导致设备故障更多电子 - 空穴对。用不同的漂移区的掺杂装置模拟了TCAD和测量。与LDD4掺杂，在漂移区域中的峰值电场被降低;跨导的线性区域变宽。相邻信道功率比是通过2 dBc的下降;12％更多的功率能够之前NPN晶体管导通被排出，表明更好的线性度和鲁棒性。

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模拟集成电路永远遵循摩尔定律。这是无源部件尤其合适的。由于短沟道效应，我们必须实现更长的晶体管，特别是对模拟细胞。在本文中，我们建议使用以减少模拟细胞的大小FDSOI（全耗尽绝缘体上硅）技术的优势，一些新的拓扑结构。首先，选择的电流镜来说明和验证的新设计。测得的电流，具有35nm的晶体管长度，已证实了我们的新的交叉耦合的背栅拓扑。然后，VCRO（压控环形振荡器）的基础上互补反相器也可以用来除去无源元件减小了电路的尺寸。

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本文针对基于永磁同步发电机的风力发电系统，提出了一种与背对背变换器的DC-link并联的超级电容储能单元(SCESU)，通过性能提高其高电压平稳性。对电网侧变换器和SCESU的运行和控制进行了分析。基于实时数字仿真器(高压),模型和半实物(边境)平台SCESU PMSG-based风力涡轮机是发达的,仿真结果表明,SCESU吸收能量和grid-side转换器吸收感性无功功率不平衡电压期间膨胀并验证的正确性和可行性高电压通过控制策略。

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