TY - Jour A2 - EFE，Mehmet Onder Au - Chen，Shen-li Py - 2015 Da - 2015/03/17 TI - 该一世-V.基于ANFIS的方法的BCD LV PMOSFET器件的特性预测SP - 824524 VL - 2015 AB - 使用传统的TCAD EDA工具的亚微米器件的亚微米器件预测建模，由于缺乏可靠的型号，因此越来越令人困惑。校准可用设备型号的困难。本文提出了一种新技术，通过使用自适应神经外套推理系统（ANFIS）来提出模拟BCD亚微米模型PMOSFET器件的新技术，并通过采用自适应神经外套推理系统（ANFIS）来预测不同偏置条件和不同几何尺寸的装置行为，这与模糊理论和自适应神经元工加工相结合。在这里，使用ANFI来实现的力量 一世- V.在这些P沟道MOS晶体管中证明了行为。经过系统评估后，可以发现预测结果 一世- V.将ANFIS复杂亚微米PMOSFET的行为与实际诊断实验数据进行比较，并获得了良好的一致性。此外，误差百分比不大于2.5％。因此，这种新技术的效果包括精确的预测和更容易实现。SN - 1687-7101 UR - https://doi.org/10.1155/2015/824524 DO - 10.1155 /八十二万四千五百二十四分之二千零一十五JF - 在模糊系统PB进展 - Hindawi出版公司公司KW - ER -