凝聚态物理学的进展

我们报告了压力诱导半导体-金属相转变的半导体硫族化合物KPSe的结果₆在高压下采用从头算的方法。利用密度泛函理论和平面波基组的赝势法进行了基态能量的计算。我们的计算使用了投影增强波(PAW)赝势。总能量计算得到的优化晶格参数为13玻尔、1.6玻尔和1.8玻尔，单元尺寸分别为1、2、3，与实验计算结果吻合较好。在零压下，材料呈现出半导体性质，其直接带隙为≈1.7 eV。当我们对材料施加压力时，观察到带隙减小，直至消失。从半导体到金属的相变发生在∼45 GPa，这意味着随着压力的进一步增加，材料发生了金属化。

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对p-硅（Si）和n-氧化锌（ZnO）纳米棒异质结二极管进行了电学表征。采用水化学生长法（ACG）在p硅衬底上生长了ZnO纳米棒。扫描电镜照片显示高密度、垂直排列的六角ZnO纳米棒，平均高度约为1.2 μm、 采用室温下的电流电压（I-V）、电容电压（C-V）和电导电压（G-V）对n-ZnO纳米棒/p-Si异质结二极管进行了电学表征。异质结具有良好的电学特性，理想因子为2.7，整流因子为52，势垒高度为0.7 V。研究了能带结构（EB）对小整流因子的影响。为了研究非理想性，串联电阻和界面态密度分布（N_党卫军)以下的传导带(CB)在I-V、C-V和G-V测量的帮助下被提取。系列电阻被发现是0.70,0.73,和0.75 KΩ,界面态密度分布从8.38×10¹²到5.83×10¹¹电动汽车⁻¹厘米⁻²在导带以下0.01 eV到0.55 eV之间。

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近年来，无线能量传输技术发展迅速，受到业界越来越多的关注。对于微波无线能量传输系统的应用，常用的整流电路的核心元件是Ge肖特基二极管。与锗半导体相比，应变锗半导体在硅衬底上具有与硅工艺兼容、成本低、电子迁移率高等优点。是Ge半导体应用的理想替代材料。针对这一点,基于该模型的性能之间的关系紧张,通用电气在Si衬底半导体肖特基二极管和设备的几何参数和材料的物理参数,Silvaco TCAD仿真软件和广告共同用于提出一个新颖的紧张通用电气在Si衬底半导体肖特基二极管微波整流电路。仿真结果表明，当整流电路输入为20dbm时，硅基肖特基二极管上的应变锗半导体整流效率为70.1%，负载电阻为R = 1000 Ω，负载电容为C = 100 功率因数。与传统的Ge肖特基二极管相比，这种最佳工作点更接近于低能量密度，有利于大范围的能量吸收。研究表明了替换Ge肖特基二极管的可行性。本文的研究可为微波无限能量传输系统整流电路核心部件的设计和开发提供有价值的参考。

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锰(Mn-)掺杂双金属层(BL)二硫化钼(MoS)的电子结构和磁性能₂)用密度函数理论（DFT）加上现场Hubbard电位校正进行了研究(U)。结果表明，在BL金属氧化物半导体的Mo位点上，Mn被取代₂在富硫(S-)态下，比钼在BL金属氧化物中两个锰(Mn)原子之间的相互作用在能量上更有利₂无论它们之间的空间距离如何，它们总是铁磁的，但是铁磁相互作用的强度随原子距离而衰减。在不同的BL-MoS层中还发现了两种掺杂₂铁磁性的交流。除此之外，BL-MoS的详细研究₂其与单层的对应关系表明在BL金属氧化物半导体中存在层间相互作用₂影响掺锰BL金属氧化物半导体的相互作用₂. 计算的居里温度为324、418和381 K，杂质浓度为 , ,和 ,分别大于室温，掺杂浓度的良好稀释极限为0-6.25%。在此基础上，提出了掺Mn的BL-MoS₂是二维(2D)稀磁半导体(DMS)高温自旋电子学应用的有希望的候选者。

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在经典流体力学中，管内层流的表面粗糙度可以忽略不计，但由于其比表面积大，表面粗糙度在微尺度流体流动中可能起着重要作用。为了进一步验证粗糙表面对微尺度液体流动和传热的影响，设计并建立了以不锈钢为微通道材料、甲醇为工质的传热和液体流动性能测试系统，并进行了一系列实验测试。结果表明，表面粗糙度对微通道内的层流流动和传热过程有重要影响。在具有粗糙特性的微通道中，液体层流的Poiseuille数不仅依赖于粗糙微通道的截面形状，而且还依赖于液体流动的雷诺数。粗糙微通道中液体层流的Poiseuille数随雷诺数的增加而增加。此外，液体层流换热的Nusselt数不仅与粗糙微通道的截面形状有关，还与液体流动的雷诺数有关，Nusselt数随雷诺数的增加而增加。

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在本研究中，我们考虑由超导体/量子点/超导体结组成的系统中的约瑟夫森电流。该模型考虑了量子点中的库仑相互作用，并用拉克鲁近似研究了电子关联。我们利用拉克鲁截断导出量子点的格林函数。虽然在我们的公式中没有Andreev束缚态，但是π-参数范围受限时发生连接。将Kondo温度与另一种方法估计的温度进行比较，发现我们的Lacroix近似不能很好地描述超导/量子点/超导结中的Kondo物理。

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