APECGydF4y2Ba 有源和无源电子元件GydF4y2Ba 1563-5031GydF4y2Ba 0882-7516GydF4y2Ba HindawiGydF4y2Ba 10.1155 /八百四十二万五千一百九十八分之二千〇一十九GydF4y2Ba 8425198GydF4y2Ba 研究文章GydF4y2Ba 改善线性和RF LDMOS的健壮性通过减少准饱和效应GydF4y2Ba https://orcid.org/0000-0001-9219-4276GydF4y2Ba 莫GydF4y2Ba 海丰GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba 耀辉GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 歌曲GydF4y2Ba HelunGydF4y2Ba 1GydF4y2Ba GhibaudoGydF4y2Ba 杰拉德GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 纳米技术的苏州研究院与纳米仿生GydF4y2Ba 中国科学院GydF4y2Ba 中国GydF4y2Ba cas.cnGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 中国中国科学院大学GydF4y2Ba 中国GydF4y2Ba ucas.ac.cnGydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba 02GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 20GydF4y2Ba 06GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 26GydF4y2Ba 06GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 版权所有©2019海丰莫等人。GydF4y2Ba 这是知识共享署名许可，允许在任何媒体不受限制地使用，分发和复制下发布的开放式访问文章，提供原工作正确引用。GydF4y2Ba

本文首次将线性和鲁棒性结合起来讨论，揭示了改进线性和鲁棒性的途径。结果表明，器件工作在准饱和区时的非线性跨导是器件线性度的重要影响因素。电场峰值是电子速度饱和的根本原因。漏极附近漂移区域的高电场会产生更多的电子-空穴对，从而触发寄生NPN晶体管的导通，从而导致器件失效。利用TCAD对不同漂移区掺杂的器件进行了模拟和测量。随着LDD4的掺入，漂移区的峰值电场减小;跨导的线性区域被加宽。相邻通道功率比降低2 dBc;在NPN晶体管开启之前，可以多释放12%的功率，表明更好的线性度和鲁棒性。GydF4y2Ba

 国家重点研究开发计划GydF4y2Ba 2016年yfe0129400GydF4y2Ba 中国的中国科学院青年创新促进会GydF4y2Ba 2016290GydF4y2Ba 国家国防基础科学研究计划GydF4y2Ba JCKY2017210B006GydF4y2Ba 中国的科学院战略重点研究计划GydF4y2Ba XDC02010800GydF4y2Ba 1.介绍GydF4y2Ba

线性度和鲁棒性是在基站进行通信的功率放大器非常重要的。对于LDMOS功率器件，输出和输入信号之间的关系是接近饱和的区域的平方关系，这是很容易出现频谱泄漏和互调失真。此外，电容表现出与电压，容易产生相位失真的非线性关系。在通信应用中，装置总是与回退，以满足线性要求，这牺牲效率，特别是对非对称多赫蒂放大器[工作GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba]。的相邻信道功率比（ACPR）是测量功率放大器的线性度的指标;它被定义为偏移信道到主信道的功率密度的功率密度之比。GydF4y2Ba

RF LDMOS的线性度的研究主要集中在电容和跨导的线性度。文献[GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba]研究了输入电容上的互调失真（IMD）和AM-PM失真从视模拟点A类功率放大器的双音信号输入下的效果。文献[GydF4y2Ba 3GydF4y2Ba]发现低频IMD与跨导的非线性有关，高频IMD与跨导和电容的非线性有关。在文献[GydF4y2Ba 4GydF4y2Ba]，多个LDMOS并行合并;每一种都在不同的电压下进行偏置;然后通过组合不同的甜点来降低IMD。文献[GydF4y2Ba 五GydF4y2Ba减小漏极接触的尺寸以增加饱和电流。GydF4y2Ba

鲁棒性是LDMOS的承受从失配的功率输出或从电子静态放电功率的能力。LDMOS的鲁棒性与固有地呈现寄生双极NPN晶体管相关[GydF4y2Ba 6GydF4y2Ba]，更体掺杂建议来抑制导通NPN晶体管。该装置可能会失败，因为早期形成的长丝的[GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba，GydF4y2Ba 8GydF4y2Ba]。深注入漏极接触[GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba]和ESD在漏极侧植入[GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba建议解决早期灯丝形成的问题。GydF4y2Ba

本文首次将线性和鲁棒性结合起来讨论。用TCAD模拟了不同漂移区掺杂器件的电场分布和跨导。通过调整漂移区域的掺杂可以降低漂移区域的峰值电场，从而获得更好的线性度和鲁棒性，硅数据证实了这一点。部分GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba的本文分析跨导和线性度之间的关系，分析在漂移区准饱和效应和电场分布之间的关系，并提出了一种方案，以改善跨导和鲁棒性的线性度。试验结果和讨论示于第GydF4y2Ba 3GydF4y2Ba。和第GydF4y2Ba 4GydF4y2Ba总结本文。GydF4y2Ba

 2.方法和TCAD仿真GydF4y2Ba

数字GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba是LDMOS装置的结构的示意图;数字GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba是该装置，其中的小信号等效电路GydF4y2Ba [RGydF4y2Ba 大号GydF4y2Ba dGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 漂移区域的等效电阻是多少GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba 是该装置的跨导。根据密勒效应，该装置的跨导由下式表示GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba 如式（GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba）。线性可以以两种方式加以改进，一个是改善跨导的线性度，而另一个是减少米勒电容GydF4y2Ba CGydF4y2Ba GGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 输出电容GydF4y2Ba CGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba 。本文通过减轻准饱和效应优化跨导的线性度。GydF4y2Ba （1）GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba =GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba -GydF4y2Ba ĴGydF4y2Ba ωGydF4y2Ba CGydF4y2Ba GGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 1GydF4y2Ba +GydF4y2Ba ĴGydF4y2Ba ωGydF4y2Ba CGydF4y2Ba GGydF4y2Ba dGydF4y2Ba +GydF4y2Ba CGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba [RGydF4y2Ba 大号GydF4y2Ba dGydF4y2Ba dGydF4y2Ba

RF LDMOS的结构。GydF4y2Ba

RF LDMOS的等效电路。GydF4y2Ba

空间电荷调制效应是电流饱和的原因[GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba，GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba]。一方面，它降低电子的迁移率，而在另一方面，它缩小了通道边缘和漂移区之间的耗尽层。流动性的降低是由于注入到漂移区域和邻近所述漏极中的峰值电场的电子密度的增加。在峰值电场越高，载流子迁移饱和，因此较早的当前饱和度越容易。相应地，有两种方法来减轻饱和效应。之一是增加的背景浓度，但击穿电压和热载流子注入的可靠性将被牺牲。第二是降低漂移区的长度，这将牺牲的耐压性和鲁棒性。为了得到一个好的折衷线性度，效率，击穿电压，HCI可靠性和鲁棒性之间，在漂移区域中的峰值电场必须被展平。电场和不同漂移区结构的跨导进行模拟与TCAD。GydF4y2Ba

数字GydF4y2Ba 3GydF4y2Ba是漂移区的掺杂结构的图。漂移区的长度为2.8微米。LDD1表示在整个漂移区中的第一N型注入;能量100KEV。LDD2是第二N型植入的200KEV的能量;到栅极边缘的距离是达到0.8um。LDD3是第三N型植入的200KEV的能量;到栅极边缘的距离为1.4um。LDD4是第四N型植入的200KEV的能量;到栅极边缘的距离为2.2GydF4y2Ba μGydF4y2Ba米每个植入的剂量被示为L1D，L2D，L3D，和L4D表GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba。此步骤的掺杂分布结构可提高导通电阻的击穿电压的和值FOM，特别是在超级结结构[GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba]。GydF4y2Ba

DC仿真结果和掺杂不同的设备的条件。GydF4y2Ba

健康）状况GydF4y2Ba LDD4到GydF4y2Ba LDD1GydF4y2Ba LDD2GydF4y2Ba LDD3GydF4y2Ba LDD4GydF4y2Ba 分解GydF4y2Ba 阈值GydF4y2Ba [RGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba ØGydF4y2Ba ñGydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba 一个GydF4y2Ba ŤGydF4y2Ba
保利（UM）GydF4y2Ba 剂量（厘米GydF4y2Ba-2GydF4y2Ba）GydF4y2Ba 剂量（厘米GydF4y2Ba-2GydF4y2Ba）GydF4y2Ba 剂量（厘米GydF4y2Ba-2GydF4y2Ba）GydF4y2Ba 剂量（厘米GydF4y2Ba-2GydF4y2Ba）GydF4y2Ba 电压（V）GydF4y2Ba 电压（V）GydF4y2Ba （欧姆GydF4y2Ba *GydF4y2Ba 毫米）GydF4y2Ba （毫安/毫米）GydF4y2Ba
一个GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 70.15GydF4y2Ba 1.25GydF4y2Ba 13.25GydF4y2Ba 177GydF4y2Ba
乙GydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 6.0E + 11GydF4y2Ba 70.76GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.83GydF4y2Ba 179.7GydF4y2Ba
CGydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 70.55GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.77GydF4y2Ba 180.3GydF4y2Ba
dGydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 1.4 e + 12GydF4y2Ba 71.41GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.52GydF4y2Ba 182.5GydF4y2Ba
ËGydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.7E + 12GydF4y2Ba 7.0E + 11GydF4y2Ba 5.0E + 11GydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 71.52GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.21GydF4y2Ba 183.2GydF4y2Ba
FGydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.7E + 12GydF4y2Ba 7.0E + 11GydF4y2Ba 7.0E + 11GydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 70.75GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 11.87GydF4y2Ba 185GydF4y2Ba
GGydF4y2Ba 2.2GydF4y2Ba 1.7E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba 7.0E + 11GydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 70.25GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 11.62GydF4y2Ba 189.6GydF4y2Ba
HGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 70.15GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.62GydF4y2Ba 181.2GydF4y2Ba
一世GydF4y2Ba 2.4GydF4y2Ba 1.8E + 12GydF4y2Ba 8.0 e + 11GydF4y2Ba NAGydF4y2Ba 1.0E + 12GydF4y2Ba 70.51GydF4y2Ba 1.26GydF4y2Ba 12.99GydF4y2Ba 178.1GydF4y2Ba

LDMOS漂移区的结构。GydF4y2Ba

表格GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba列出了不同漂移区掺杂的掺杂条件和器件的直流仿真结果。漏极饱和电流随漂移区总掺杂量的增加而增大。如在图中所示GydF4y2Ba 4GydF4y2Ba，跨导和作为漂移区的掺杂饱和漏极电压增加，饱和点转移到一个较大的漏极电流，跨导和的线性区域被加宽，表明更好的线性度。与LDD4掺杂装置的跨导而当LDD4后LDD3掺杂只有很少的变化被发现显著增加。这是因为，漂移区的电场与LDD4掺杂优化;多种掺杂不会导致电场的变化显著并且因此跨导。如在图中所示GydF4y2Ba 五GydF4y2Ba，能够获得类似的跨导，通过增加LDD4的宽度或通过增加LDD4的剂量。GydF4y2Ba

GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba 的具有不同掺杂漂移区的装置。GydF4y2Ba

GGydF4y2Ba 米GydF4y2Ba 具有不同长度和掺杂漂移区域的器件。GydF4y2Ba

准饱和条件下的电场分布如图所示GydF4y2Ba 6GydF4y2Ba。该图中的黑色椭圆框是漂移区和漏极接触，在峰值电场位于的接口。LDD4被植入和作为LDD的数目增加而减小后，此峰值电场减小。在附近的电场的均匀分布的漏极结果渐变掺杂。在器件的漂移区与LDD4掺杂峰值电场显著降低，从而导致跨导的加宽线性区。增加LDD的注入的数量降低了峰值电场在漏极附近，使得在所述漂移区域中的电场分布更加均匀，减少了载流子的饱和度，由此减轻了设备的准饱和效应。GydF4y2Ba

装置的电场分布不同LDD结构。GydF4y2Ba

LDD1和LDD2GydF4y2Ba

LDD1，LDD2和LDD4GydF4y2Ba

LDD1，LDD2，LDD3和LDD4GydF4y2Ba

在Y = 0.01um电场GydF4y2Ba

对应于鲁棒性的电等效电路在图中给出GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba。下输出不匹配条件，高功率返回到LDMOS漏，导致高的漏电压，从而导致强电场的漂移区。然后更多的电子 - 空穴对产生和空穴电流可以触发NPN晶体管的导通，导致形成早期长丝的[GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba，GydF4y2Ba 8GydF4y2Ba]，这可能导致器件失效。为了提高鲁棒性，在靠近漏极漂移区域中的电场必须降低以抑制电子 - 空穴对的形成。正如在最后一段的分析，在漏极的电场可以与LDD4掺杂来均匀。GydF4y2Ba

LDMOS鲁棒性的电等效电路。GydF4y2Ba

可以总结出在漏极附近的掺杂分布成为LDD4掺杂之后梯度分布，这降低在漏极附近的峰值电场，并在漂移区均匀的电场。然后科尔克效应是放松的，从而减轻了准饱和效应，导致更线性的跨导。装置与在漏极附近更均匀的分布电场将具有下失配和更好的鲁棒性产生更少的电子 - 空穴对。线性度和耐用性的优化结果将在下一节讨论。GydF4y2Ba

 3。结果与讨论GydF4y2Ba

参照的HCI评价方法[GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba]，设备强调在静态偏压条件;在本文中，GydF4y2Ba VGydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba = 28 v和GydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba dGydF4y2Ba qGydF4y2Ba = 8 ma /毫米。然后通阻和漏极电流GydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba dGydF4y2Ba qGydF4y2Ba 绘制相对于时间对设备寿命评估。导通电阻和与最大饱和电流，其可以具有HCI差，以及条件C条件G的设备的静态漏极电流退化在图中给出GydF4y2Ba 8GydF4y2Ba。导通电阻的寿命内的生长被限制在10％，这将导致减少0.3分贝输出功率。导通电阻的条件G增加小于在20年内6％，满足基站应用的生命周期的要求。GydF4y2Ba

RF LDMOS的HCI测试结果。GydF4y2Ba

测试结构的不同设备的晶片上的跨导在图中给出GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba。跨导随着漂移区的掺杂，并且所述饱和效应被减轻与LDD4和LDD3掺杂，与TCAD模拟匹配。如在图中所示GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba，2dBc更好ACPR与LDD4掺杂获得的，但ACPR的无显著变化在设备发现与LDD4后LDD3掺杂。它也可以在图中找到GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba说明在一定程度上，增加LDD3的掺杂后ACPR没有明显变化。结果表明，LDD4的掺入可以使跨导线性区域展宽，2dBc的ACPR得到较好的ACPR，而LDD4之后再加入LDD3的增益很小。GydF4y2Ba

不同设备的克。GydF4y2Ba

的条件ACPR A，C，和GGydF4y2Ba

不同LDD3器件的ACPR。GydF4y2Ba

为了验证设备的鲁棒性掺杂工程，条件A，C，和G器件下的传输线脉冲（TLP）检验，如在图中所示GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba和表GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba。随着LDD4掺杂，GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ŤGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 中，当从78伏到87.5伏，这意味着更多的12％的功率增加的寄生NPN晶体管导通可被排出，这表明更好的鲁棒性的漏极电压。鲁棒性的无显著变化装置被发现时LDD4掺杂后LDD3掺杂。GydF4y2Ba

稳健性导致不同的设备。GydF4y2Ba

健康）状况GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ŤGydF4y2Ba 1GydF4y2Ba （GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ）GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ŤGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba （GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ）GydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba dGydF4y2Ba 小号GydF4y2Ba 在GydF4y2Ba VGydF4y2Ba ŤGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba （GydF4y2Ba 一个GydF4y2Ba ）GydF4y2Ba
条件AGydF4y2Ba 69.95GydF4y2Ba 78GydF4y2Ba 0.48GydF4y2Ba
条件CGydF4y2Ba 69.69GydF4y2Ba 87.5GydF4y2Ba 0.46GydF4y2Ba
条件GGydF4y2Ba 69.83GydF4y2Ba 87.5GydF4y2Ba 0.47GydF4y2Ba

A、C、G条件的TLP测试数据。GydF4y2Ba

跨导与测量模拟TCAD匹配;的ACPR和鲁棒性的测量数据匹配的电场分布的模拟TCAD结论。与LDD4注入，所述漏极接触和所述漂移区域之间的浓度梯度减小，并且随着剂量的增加而梯度减小。靠近漏极漂移区的峰值电场减小，从而导致更均匀的电场分布，这减轻该装置的饱和效应，使得更线性的跨导，从而改善了ACPR。更好的鲁棒性，也具有更均匀分布的电场获得。GydF4y2Ba

 4.结论GydF4y2Ba

据透露，并通过TCAD仿真和测量数据，通过漂移区掺杂工程，在漂移区域中的峰值电场分布被减小，该装置的准饱和效应被减轻，跨导的线性度验证，并且ACPR提高超过2 dBc的。漏极峰值电场的减少也是该装置的鲁棒性有利;功率提高12％可以在寄生NPN晶体管导通之前被排出。GydF4y2Ba

 数据可用性GydF4y2Ba

文章中所提供的实验结果在系统集成和纳米技术的苏州研究院的IC设计部门与纳米仿生，中国的院院士科学获得，在2018年。GydF4y2Ba

 的利益冲突GydF4y2Ba

作者宣称，有兴趣就本文发表任何冲突。GydF4y2Ba

 致谢GydF4y2Ba

这项工作是由中国的国家重点研究发展计划（批准号：2016YFE0129400），青年创新促进会CAS（批准号：2016290）的支持，中国的国防基础科研计划（批准号：JCKY2017210B006）与中国中科院的战略重点研究发展计划（批准号：XDC02010800）。GydF4y2Ba

 BathichGydF4y2Ba K.GydF4y2Ba PortelaGydF4y2Ba H。GydF4y2Ba BoeckGydF4y2Ba G。GydF4y2Ba 具有优化的线性度的高效率的Si LDMOS的Doherty功率放大器GydF4y2Ba SBMO/IEEE MTT-S国际微波与光电子会议录，IMOC '09GydF4y2Ba 2009年GydF4y2Ba 巴西GydF4y2Ba 33GydF4y2Ba 36GydF4y2Ba 2- s2.0-77951704850GydF4y2Ba 本特松GydF4y2Ba O.GydF4y2Ba VestlingGydF4y2Ba L.GydF4y2Ba 奥尔森GydF4y2Ba J.GydF4y2Ba 在LDMOS晶体管中的非线性的输入电容的调查及其对IMD和相位失真的贡献GydF4y2Ba 固体电子学GydF4y2Ba 2008年GydF4y2Ba 52GydF4y2Ba 7GydF4y2Ba 1024GydF4y2Ba 1031GydF4y2Ba 10.1016 / j.sse.2008.03.001GydF4y2Ba TornbladGydF4y2Ba O.GydF4y2Ba 伊藤GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 拉GydF4y2Ba F。GydF4y2Ba 戈登GydF4y2Ba M.GydF4y2Ba 达顿GydF4y2Ba r·W。GydF4y2Ba 利用谐波平衡装置模拟RF LDMOS器件的线性分析GydF4y2Ba 在半导体工艺模拟和设备，SISPAD '05国际会议论文集GydF4y2Ba 2005年GydF4y2Ba 243GydF4y2Ba 246GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33751570990GydF4y2Ba van der HeijdenGydF4y2Ba M.GydF4y2Ba 德格拉夫GydF4y2Ba H。GydF4y2Ba de VreedeGydF4y2Ba L.GydF4y2Ba GajadharsingGydF4y2Ba J.GydF4y2Ba BurghartzGydF4y2Ba J.GydF4y2Ba 超线性ab类LDMOS射频功率放大器用于基站GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 在IEEE MTT-S国际微波研讨会文摘'01论文集GydF4y2Ba 亚利桑那州凤凰城，美国GydF4y2Ba 1363GydF4y2Ba 1366GydF4y2Ba 10.1109 / MWSYM.2001.967149GydF4y2Ba 古普塔GydF4y2Ba 一个。GydF4y2Ba ShrivastavaGydF4y2Ba M.GydF4y2Ba BaghiniGydF4y2Ba 多发性硬化症。GydF4y2Ba 沙玛GydF4y2Ba d·K。GydF4y2Ba GossnerGydF4y2Ba H。GydF4y2Ba 饶GydF4y2Ba V. R.GydF4y2Ba 上漏扩展MOS器件的改进的高频线性GydF4y2Ba IEEE微波和无线元件通讯GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 26GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba 999GydF4y2Ba 1001GydF4y2Ba 10.1109 / LMWC.2016.2623239GydF4y2Ba TheeuwenGydF4y2Ba S. J. C. H.GydF4y2Ba 库雷希GydF4y2Ba J. H.GydF4y2Ba 射频功率放大器的LDMOS技术GydF4y2Ba IEEE交易对微波理论与技术GydF4y2Ba 2012GydF4y2Ba 60GydF4y2Ba 6GydF4y2Ba 1755GydF4y2Ba 1763GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84861803650GydF4y2Ba 10.1109 / TMTT.2012.2193141GydF4y2Ba ShrivastavaGydF4y2Ba M.GydF4y2Ba GossnerGydF4y2Ba H。GydF4y2Ba 上漏极延伸MOS器件的ESD鲁棒性的审查GydF4y2Ba 对设备和材料的可靠性IEEE交易GydF4y2Ba 2012GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba 4GydF4y2Ba 615GydF4y2Ba 625GydF4y2Ba 10.1109 / TDMR.2012.2220358GydF4y2Ba 助步车GydF4y2Ba A. J.GydF4y2Ba PuchnerGydF4y2Ba H。GydF4y2Ba 达拉杰GydF4y2Ba S. P.GydF4y2Ba 高压CMOS ESD和安全工作区GydF4y2Ba IEEE电子设备学报GydF4y2Ba 2009年GydF4y2Ba 56GydF4y2Ba 8GydF4y2Ba 1753GydF4y2Ba 1760GydF4y2Ba 10.1109 / TED.2009.2022698GydF4y2Ba ParthasarathyGydF4y2Ba V.GydF4y2Ba KhemkaGydF4y2Ba V.GydF4y2Ba 朱GydF4y2Ba R.GydF4y2Ba 惠特菲尔德GydF4y2Ba J.GydF4y2Ba 玻色GydF4y2Ba 一个。GydF4y2Ba 艾达GydF4y2Ba R.GydF4y2Ba 双RESURF LDMOS与排水工程型材，以提高ESD稳健性GydF4y2Ba IEEE电子器件快报GydF4y2Ba 2002年GydF4y2Ba 23GydF4y2Ba 4GydF4y2Ba 212GydF4y2Ba 214GydF4y2Ba 10.1109 / 55.992842GydF4y2Ba ShrivastavaGydF4y2Ba M.GydF4y2Ba GossnerGydF4y2Ba H。GydF4y2Ba 拉斯GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 一种在ESD应力作用下展开灯丝的MOS漏极扩展器件GydF4y2Ba IEEE电子器件快报GydF4y2Ba 2012GydF4y2Ba 33GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 1294GydF4y2Ba 1296GydF4y2Ba 10.1109 / LED.2012.2205553GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba C.-Y.GydF4y2Ba TornbladGydF4y2Ba O.GydF4y2Ba 达顿GydF4y2Ba r·W。GydF4y2Ba 在RF功率MOSFET横向沟道掺杂的线性分析GydF4y2Ba IEEE交易对微波理论与技术GydF4y2Ba 2009年GydF4y2Ba 57GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba 3389GydF4y2Ba 3394GydF4y2Ba 2- s2.0-73049097642GydF4y2Ba 10.1109 / TMTT.2009.2034070GydF4y2Ba 库马尔GydF4y2Ba B. S.GydF4y2Ba ShrivastavaGydF4y2Ba M.GydF4y2Ba 第一部分:关于LDMOS器件准饱和的物理学统一GydF4y2Ba IEEE电子设备学报GydF4y2Ba 2018GydF4y2Ba 65GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 191GydF4y2Ba 198GydF4y2Ba 10.1109 / TED.2017.2777004GydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba Y。GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba H。GydF4y2Ba 杜GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 嘛GydF4y2Ba M.GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba M.GydF4y2Ba 他GydF4y2Ba J.GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba G。GydF4y2Ba 高电压（> 600 V）N-岛LDMOS与局部SOI技术掺杂步骤漂移区GydF4y2Ba IEEE电子设备学报GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 63GydF4y2Ba 五GydF4y2Ba 1969GydF4y2Ba 1976GydF4y2Ba 10.1109 / TED.2015.2487345GydF4y2Ba 2- s2.0-84945393721GydF4y2Ba BurdeauxGydF4y2Ba D. C.GydF4y2Ba 汉堡GydF4y2Ba W. R.GydF4y2Ba RF功率LDMOS场效应管的固有可靠性GydF4y2Ba 第49届国际可靠性物理研讨会论文集，11年的IRPGydF4y2Ba 2011GydF4y2Ba 5A.2.1GydF4y2Ba 5A.2.9GydF4y2Ba 2- s2.0-79959312379GydF4y2Ba