亚太经合组织GÿdF4ÿ2乙一种 有源和无源电子元件GÿdF4ÿ2乙一种 1563-5031GÿdF4ÿ2乙一种 0882 - 7516GÿdF4ÿ2乙一种 HindawiGÿdF4ÿ2乙一种 10.1155 /五百一十三万五千六百三十七分之二千零十九GÿdF4ÿ2乙一种 5135637GÿdF4ÿ2乙一种 研究文章GÿdF4ÿ2乙一种 一种拟二维基于物理的HEMTs模型，没有平滑函数来连接I-V特性的线性和饱和区域GÿdF4ÿ2乙一种 http://orcid.org/0000-0001-6844-7106GÿdF4ÿ2乙一种 RyndinGÿdF4ÿ2乙一种 Eugeny。GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 http://orcid.org/0000-0002-8323-1714GÿdF4ÿ2乙一种 Al-SamanGÿdF4ÿ2乙一种 Amgad。GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 KonoplevGÿdF4ÿ2乙一种 鲍里斯·G。GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 Di BenedettoGÿdF4ÿ2乙一种 路易吉GÿdF4ÿ2乙一种 南部联邦大学GÿdF4ÿ2乙一种 纳米技术研究所GÿdF4ÿ2乙一种 电子和电子设备工程GÿdF4ÿ2乙一种 电子设备设计系GÿdF4ÿ2乙一种 44GÿdF4ÿ2乙一种 Nekrasovskiy圣。GÿdF4ÿ2乙一种 塔甘罗格347928GÿdF4ÿ2乙一种 俄罗斯GÿdF4ÿ2乙一种 sfedu.ruGÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 17GÿdF4ÿ2乙一种 05GÿdF4ÿ2乙一种 2018GÿdF4ÿ2乙一种 05GÿdF4ÿ2乙一种 02GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 25GÿdF4ÿ2乙一种 02GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 2019GÿdF4ÿ2乙一种 版权所有©2019 Eugeny A. Ryndin等。GÿdF4ÿ2乙一种 这是一篇在知识共享署名许可下发布的开放访问的文章，该许可允许在任何媒介上不受限制地使用、发布和复制，只要原稿被正确引用。GÿdF4ÿ2乙一种

建立了一种基于准二维物理的HEMT晶体管模型，该模型不使用任何平滑函数来连接电流-电压(I-V)特性的线性区域和饱和区域。考虑电子的谷间跃迁和晶体管沟道中空穴的存在，计算了沟道内电场、电子温度和电子迁移率的非均匀空间分布。在线性和饱和操作区域，模型与实验数据吻合良好。该模型对HEMT晶体管进行了精确的模拟，可用于分析和预测材料参数对器件和电路特性的影响。GÿdF4ÿ2乙一种

 南部联邦大学GÿdF4ÿ2乙一种 VnGr-07/2017-10GÿdF4ÿ2乙一种 1.简介GÿdF4ÿ2乙一种

高电子迁移率晶体管(HEMT)已成为高速微波和射频应用的一个有前途的候选材料[GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种，GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种]。对HEMT晶体管及其建模的高度兴趣可能与它的高电子迁移率、高电子片浓度和在非常高频率下的优异性能有关[GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种，GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种]。为了充分利用这些器件的潜力，需要对基于HEMT的电路进行精确而快速的仿真，这需要紧凑的模型来模拟它们的输出特性。HEMT晶体管的输出特性可以使用几种建模技术来模拟:电子(半经验的，经验的)模型或基于物理的模型。尽管基于二维和三维物理的数值模型具有较高的精度，且通道内载流子迁移率具有严格的场依赖关系，但由于其高度复杂，不便于在电路设计程序中使用[GÿdF4ÿ2乙一种 五GÿdF4ÿ2乙一种-GÿdF4ÿ2乙一种 8GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

最近报告的半经验模型显示与实验数据有很好的一致性;尽管如此，它们包括许多拟合参数，其中有非物质的意义[GÿdF4ÿ2乙一种 9GÿdF4ÿ2乙一种-GÿdF4ÿ2乙一种 12GÿdF4ÿ2乙一种]。这导致了它们在实际应用中的显著局限性。由于这些困难，例如，复杂和耗时的计算，基于设备物理的高速优化模型成为首选。一种基于物理的hemt模型的测量方法遇到了严重的限制[GÿdF4ÿ2乙一种 13GÿdF4ÿ2乙一种-GÿdF4ÿ2乙一种 15GÿdF4ÿ2乙一种]。这是因为它们通常是使用区域近似来发展的，而在HEMT晶体管的I-V特性的中等区域上通过适当的平滑函数将它们连接在一起。GÿdF4ÿ2乙一种

试图克服使用基于表面的潜在的模型，这些相当大的困难都已经由[GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种-GÿdF4ÿ2乙一种 20.GÿdF4ÿ2乙一种]。虽然这种方法很有趣，但它没有考虑到两个关键因素:GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 载流子迁移的上场空间分布的依赖性和GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 通道内的电子温度为2度。此外，据作者所知，目前可用的基于物理的模型并没有将通道中空穴的存在纳入电荷守恒定律中。因此，本文旨在引入一种新的基于准二维物理的方法来建模HEMT晶体管，而不使用任何平滑函数来连接I-V特性的线性和饱和区域。此外，还将考虑电子迁移率的场依赖性、电子的谷间跃迁、电子温度的变化以及通道内空穴的存在。GÿdF4ÿ2乙一种

 2.模型描述GÿdF4ÿ2乙一种

该模型已用于HEMT结构，其截面如图所示GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种。它由半绝缘砷化镓衬底组成，衬底上无掺杂GÿdF4ÿ2乙一种 我砷化镓GÿdF4ÿ2乙一种层的厚度GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 是生长，接着是一层未掺杂的间隔层GÿdF4ÿ2乙一种 i-AlGÿdF4ÿ2乙一种 1 - xGÿdF4ÿ2乙一种 嘎GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 如GÿdF4ÿ2乙一种的厚度GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 以及一层掺杂的阻挡层GÿdF4ÿ2乙一种 n-AlGÿdF4ÿ2乙一种 1 - xGÿdF4ÿ2乙一种 嘎GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 如GÿdF4ÿ2乙一种的厚度GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 与施主浓度GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 。该结构中的高掺杂欧姆接触区与栅极自对准。GÿdF4ÿ2乙一种

在AlGaAs /砷化镓HEMT晶体管的结构。GÿdF4ÿ2乙一种

 2.1。漏极电流计算GÿdF4ÿ2乙一种

的HEMT晶体管的I-V特性计算被认为是的建模半导体器件的最显著目标之一。为了模拟它们的I-V特性，轴GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种和GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种与通道内电流流动方向相对应的垂直方向。因此，可以通过对电子电流密度的积分得到漏极电流GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 在通道的横截面：GÿdF4ÿ2乙一种 (1)GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ∬GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ⅆGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ∫GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ⅆGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 是一个厚度的通道和GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 是栅极宽度。GÿdF4ÿ2乙一种

在我们的情况下，只有电子电流密度的纵向漂移分量将被考虑进去。所以， （GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种)可以改写为GÿdF4ÿ2乙一种 (2)GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 ∫GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ⅆGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 为通道内电场的分布，GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 是电子迁移率，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 电子浓度是多少GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 为通道内电子的表面电荷密度。GÿdF4ÿ2乙一种

在未掺杂的沟道HEMT晶体管的情况下，除了从阻挡层耗尽的电子，有固有载流子（电子和空穴）。其密度是通过产生和重组过程决定的。有必要注意，在这样的器件的漏电流仅仅是由于电子。然而，在适当位置，以计算充分的信道内的电子的表面电荷密度，我们应该考虑正电荷的耗尽区域内的漏端的存在。在MESFET的情况下，在耗尽区的正电荷增加基本上归因于与在空穴浓度不显着的增加而动的供体的离子化，而在HEMT晶体管这种增加仅与相关联的空穴浓度成长期因为未掺杂的信道的HEMT。即，在孔浓度的生长应该反映在电荷守恒定律：GÿdF4ÿ2Ba (3)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 是孔表面电荷密度，GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 为栅极的表面电荷密度，以及GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 是在阻挡层中的表面电荷密度。GÿdF4ÿ2乙一种

最后两个变量GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 在（GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种)可以用门电压表示GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ，阻挡层宽度GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 ，屏障层中的施主浓度GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 ，以及渠道的潜力GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 如下:GÿdF4ÿ2乙一种 (4)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (5)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 是阻挡层的相对介电常数和GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 是自由空间的介电常数。该参数的值列在表GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

参数表在模拟中使用的[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

象征GÿdF4ÿ2乙一种 物理意义GÿdF4ÿ2乙一种 价值GÿdF4ÿ2乙一种 单位GÿdF4ÿ2乙一种
εGÿdF4ÿ2乙一种 阻挡层的介电常数GÿdF4ÿ2乙一种 12.1GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 自由空间的介电常数GÿdF4ÿ2乙一种 8.85×10GÿdF4ÿ2乙一种-12GÿdF4ÿ2乙一种 F / mGÿdF4ÿ2乙一种
qGÿdF4ÿ2乙一种 元电荷GÿdF4ÿ2乙一种 1.62×10GÿdF4ÿ2乙一种-19GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种
公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 玻耳兹曼常数GÿdF4ÿ2乙一种 1.38×10GÿdF4ÿ2乙一种-23GÿdF4ÿ2乙一种 J / KGÿdF4ÿ2乙一种
HGÿdF4ÿ2乙一种 普朗克常数GÿdF4ÿ2乙一种 6.62×10GÿdF4ÿ2乙一种-34GÿdF4ÿ2乙一种 J⋅年代GÿdF4ÿ2乙一种
ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 房间的温度GÿdF4ÿ2乙一种 300GÿdF4ÿ2乙一种 ķGÿdF4ÿ2乙一种
ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 晶格温度GÿdF4ÿ2乙一种 300GÿdF4ÿ2乙一种 ķGÿdF4ÿ2乙一种
ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 带隙模型的参数GÿdF4ÿ2乙一种 1.52GÿdF4ÿ2乙一种 电动汽车GÿdF4ÿ2乙一种
αGÿdF4ÿ2乙一种 带隙模型的参数GÿdF4ÿ2乙一种 5.58×10GÿdF4ÿ2乙一种-4GÿdF4ÿ2乙一种 电动汽车/ KGÿdF4ÿ2乙一种
βGÿdF4ÿ2乙一种 带隙模型的参数GÿdF4ÿ2乙一种 220GÿdF4ÿ2乙一种 ķGÿdF4ÿ2乙一种
μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 高掺杂砷化镓的电子迁移率GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 800GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种2GÿdF4ÿ2乙一种/ (V⋅s)GÿdF4ÿ2乙一种
μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 高掺杂砷化镓的电子迁移率GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 40GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种2GÿdF4ÿ2乙一种/ (V⋅s)GÿdF4ÿ2乙一种
μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 晶格流动(GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 = 300k)的砷化镓在GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 8500GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种2GÿdF4ÿ2乙一种/ (V⋅s)GÿdF4ÿ2乙一种
μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 晶格流动(GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 = 300k)的砷化镓在GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 410GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种2GÿdF4ÿ2乙一种/ (V⋅s)GÿdF4ÿ2乙一种
CGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 通道中电离杂质的浓度GÿdF4ÿ2乙一种 1×10GÿdF4ÿ2乙一种14GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种
СGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 温度相关拟合参数GÿdF4ÿ2乙一种 1×10GÿdF4ÿ2乙一种17GÿdF4ÿ2乙一种 厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种
αGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 温度相关拟合参数GÿdF4ÿ2乙一种 0.5GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
γGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 拟合参数GÿdF4ÿ2乙一种 -2.2GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
βGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 拟合参数GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
vGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 电子的饱和速度GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 2.5×10GÿdF4ÿ2乙一种7GÿdF4ÿ2乙一种 厘米/ cGÿdF4ÿ2乙一种
vGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 电子的饱和速度GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 0.9×10GÿdF4ÿ2乙一种7GÿdF4ÿ2乙一种 厘米/ cGÿdF4ÿ2乙一种
ΔGÿdF4ÿ2乙一种 之间的电子间隙GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 和X山谷GÿdF4ÿ2乙一种 0.31GÿdF4ÿ2乙一种 电动汽车GÿdF4ÿ2乙一种
τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs的能量弛豫模型参数GÿdF4ÿ2乙一种 0.48GÿdF4ÿ2乙一种 psGÿdF4ÿ2乙一种
τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs的能量弛豫模型参数GÿdF4ÿ2乙一种 0.025GÿdF4ÿ2乙一种 psGÿdF4ÿ2乙一种
CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs的能量弛豫模型参数GÿdF4ÿ2乙一种 -0.053GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs的能量弛豫模型参数GÿdF4ÿ2乙一种 0.853GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs的能量弛豫模型参数GÿdF4ÿ2乙一种 0.5GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种
米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 电子的有效质量GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷GÿdF4ÿ2乙一种 5.92×10GÿdF4ÿ2乙一种-32GÿdF4ÿ2乙一种 公斤GÿdF4ÿ2乙一种
米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 电子在X-谷的有效质量GÿdF4ÿ2乙一种 4.29×10GÿdF4ÿ2乙一种-31GÿdF4ÿ2乙一种 公斤GÿdF4ÿ2乙一种
米GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 孔的有效质量GÿdF4ÿ2乙一种 4.19×10GÿdF4ÿ2乙一种-31GÿdF4ÿ2乙一种 公斤GÿdF4ÿ2乙一种

用(GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种）和（GÿdF4ÿ2乙一种 五GÿdF4ÿ2乙一种）代入（GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种)的收益率GÿdF4ÿ2乙一种 (6)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

对于真实的HEMT晶体管，其电流-电压特性受表面态电荷的显著影响。因此，表面态的电荷GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 （其值从一个装置到另一个不同，必须从测量结果中提取）必须包含到电荷守恒定律：GÿdF4ÿ2乙一种 (7)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

在假设栅极漏电流是可以忽略的，一个准平衡应沿着垂直方向于沟道平面来建立，以便我们有GÿdF4ÿ2乙一种 (8)GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (8 b)GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 ·GÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (8)GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 πGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (8 d)GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 πGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (8 e)GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 αGÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 βGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 是本征浓度，GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 为空穴浓度，GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 是状态的有效密度在传导和价带，分别GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 是玻尔兹曼常数，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 为晶格温度，GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 是普朗克常数，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 为室温，GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 通道半导体材料的带隙是否与温度有关GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 αGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 βGÿdF4ÿ2乙一种 为带隙模型的参数，GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 电子的有效质量是多少GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷,GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 为孔的有效质量[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

仿真中所用到的参数对应值列于表中GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

洞GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 和电子GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 表面电荷密度可以用空穴表示GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 和电子GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 浓度使用以下等式：GÿdF4ÿ2乙一种 (9)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 ∫GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ⅆGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ≈GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (10)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 ∫GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ⅆGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ≈GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 分别是空穴和电子浓度在沟道厚度上的平均值。GÿdF4ÿ2乙一种

已经假定更换GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 在（GÿdF4ÿ2乙一种 8GÿdF4ÿ2乙一种)GÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 并不会更改(GÿdF4ÿ2乙一种 8GÿdF4ÿ2乙一种)，可改写为GÿdF4ÿ2乙一种 (11)GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

使用表达式(GÿdF4ÿ2乙一种 9GÿdF4ÿ2乙一种）和（GÿdF4ÿ2乙一种 10GÿdF4ÿ2乙一种), (GÿdF4ÿ2乙一种 11GÿdF4ÿ2乙一种)可改写为:GÿdF4ÿ2乙一种 (12)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

提取GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 pGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 从(GÿdF4ÿ2乙一种 12GÿdF4ÿ2乙一种)，然后将其代入(GÿdF4ÿ2乙一种 7GÿdF4ÿ2乙一种）导致了以下二次方程：GÿdF4ÿ2乙一种 (13)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

为了确定GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 ，二次方程的根(GÿdF4ÿ2乙一种 13GÿdF4ÿ2乙一种)必须提取，以便我们有GÿdF4ÿ2乙一种 (14)GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ±GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

在（GÿdF4ÿ2乙一种 14GÿdF4ÿ2乙一种)，我们假设GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 ≈GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 可以用以下表达式计算:GÿdF4ÿ2乙一种 (15)GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

因为它没有物理意义，所以省略了带负号的二次方程的根，然后代入GÿdF4ÿ2乙一种 QGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 成（GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种)，可以推导GÿdF4ÿ2乙一种 (16)GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 εGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

在（GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种)，空间分布GÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ,GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 是相互关联的功能GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，尤其是当一个人不能忽视以下事实的时候GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 电子迁移率取决于通道内的场分布和电子温度GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 通道电位分布不均匀。为了阐明这些相互关系，需要一个适当的电子迁移率模型和精确计算非均匀分布的通道电位。GÿdF4ÿ2乙一种

 2.2。电子迁移率GÿdF4ÿ2乙一种

从理论上讲,半导体中的电子迁移率取决于有关材料的能带结构和几种散射机制。准确计算能带结构和不同的散射机制是极其困难和耗时。为了克服这一困难，报告了一些近似值[GÿdF4ÿ2乙一种 23GÿdF4ÿ2乙一种-GÿdF4ÿ2乙一种 25GÿdF4ÿ2乙一种]。电子迁移率与杂质浓度和晶格温度的关系可用Caughey和Thomas提出的公式表示[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]：GÿdF4ÿ2乙一种 (17)GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 СGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 αGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 是电离杂质的浓度，GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 是晶格迁移率，GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 СGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 ËGÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ,GÿdF4ÿ2乙一种 αGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 拟合参数是否与温度有关GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 表示已考虑的山谷(见表)GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种)。GÿdF4ÿ2乙一种

格子流动性GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 在（GÿdF4ÿ2乙一种 17GÿdF4ÿ2乙一种)是晶格温度的函数，可以用幂次定律模拟如下:GÿdF4ÿ2乙一种 (18)GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 γGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 为晶格温度，这在目前的研究中被认为是坐标无关的，并且花费值等于室温，GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 室温下的电子迁移率是多少GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 = 300k)，和GÿdF4ÿ2乙一种 γGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 是拟合参数(见表GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种)。GÿdF4ÿ2乙一种

与信道内增强的电场，有必要以允许电场对电子迁移率的影响。的考虑在电子迁移率的降低模型选项的量度增加造成电场是可用的。通常使用的模型由下式给出[GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]：GÿdF4ÿ2乙一种 (19)GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 νGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 βGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 βGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 βGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 为拟合参数，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 是电子的饱和速度（见表GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种),GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 vGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 是Caughey和Thomas给出的电子移动性。GÿdF4ÿ2乙一种

的驱动力GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 在（GÿdF4ÿ2乙一种 19GÿdF4ÿ2乙一种）可以被写为GÿdF4ÿ2乙一种 （20）GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 毕业GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 毕业GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ·GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 ·GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

假设第二项的中的右手侧上的贡献（GÿdF4ÿ2乙一种 20.GÿdF4ÿ2乙一种)与第一个相比可以忽略不计，即，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 毕业GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ·GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 ·GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ≪GÿdF4ÿ2乙一种 毕业GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 ，我们可以重写(GÿdF4ÿ2乙一种 20.GÿdF4ÿ2乙一种)采取一种形式:GÿdF4ÿ2乙一种 （21）GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ≈GÿdF4ÿ2乙一种 毕业GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

方程(GÿdF4ÿ2乙一种 19GÿdF4ÿ2乙一种）描述了电子迁移率的场依赖性;然而，伴随着电子迁移率的下降，增加通道内的结果电场中电子的升温，特别是靠近于漏极。当电子温度生长GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 变得与谷之间的电子间隙可比GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 ，应考虑谷间转换[GÿdF4ÿ2乙一种 26GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

在移动性的降低，在这种情况下，依赖于的比GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 - 和X-谷群体，其可通过文献[GÿdF4ÿ2乙一种 26GÿdF4ÿ2乙一种]：GÿdF4ÿ2乙一种 （22）GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 是x谷中的电子浓度，GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 电子的浓度是多少GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 谷,GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 是玻尔兹曼常数GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 电子的有效质量在X和GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 -河谷，分别(见表)GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种)。GÿdF4ÿ2乙一种

HEMT晶体管沟道内的电子浓度可以表示为上、下沟谷的电子浓度之和(GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 )。因此，整体的电子迁移率可被表示为GÿdF4ÿ2乙一种 （23）GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 高场电子迁移率在X和GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 -valleys水涨船高。GÿdF4ÿ2乙一种

把分母和分子平分GÿdF4ÿ2乙一种 23GÿdF4ÿ2乙一种)GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ，然后提出申请(GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种)，可得到考虑谷间跃迁的电子迁移率表达式:GÿdF4ÿ2乙一种 （24）GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 是X-谷之间的状态浓度比GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 -valley确定由下式：GÿdF4ÿ2乙一种 (25)GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 米GÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 ∗GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

电子温度的空间分布GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 在（GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种）和（GÿdF4ÿ2乙一种 24GÿdF4ÿ2乙一种)可根据能量弛豫时间计算GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ,驱动力GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 和流动GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 如下 [GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种]：GÿdF4ÿ2乙一种 (26)GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (27)GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ,GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 能量弛豫时间模型的参数(见表GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种)。GÿdF4ÿ2乙一种

 2.3。沟道电势的计算GÿdF4ÿ2乙一种

与先前已有的传统方法相比，我们将考虑电势在通道内的不均匀分布GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 。为此，我们开始计算沟道电位，假设栅极和衬底电流是极其微不足道的。这就导致了通过通道的电流不变，这就意味着漏极电流对的导数GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 必须等于零。应用在(GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种)，可以推导出有条件的二阶微分方程GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 边界如下:GÿdF4ÿ2乙一种 (28)GÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

显然,从(GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种），电子迁移率和沟道电位相互关联并依赖于GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 以如此复杂的方式，在解决问题时必须加以考虑。GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种)。在这种情况下，寻找解析解将是棘手的。因此，我们选择求解(GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种）数值使用有限差分法。二阶微分方程的有限差分近似（GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种)用于一维网格GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ∣GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 1、2GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ...GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 具有以下形式:GÿdF4ÿ2乙一种 (29)GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 一种GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 bGÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 是网格点的索引吗GÿdF4ÿ2乙一种 。GÿdF4ÿ2乙一种

值得注意的是，所选用的离散化方案能够实现快速收敛和精确仿真结果。GÿdF4ÿ2乙一种

数值计算过程包括以下步骤:首先，我们沿着GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 -轴一维均匀网格GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 与步骤等于GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 ，其中GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 信道长度是多少GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 是网格节点，在我们的例子中，它等于200。为了计算的空间电位分布(GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种)及其离散形式(GÿdF4ÿ2乙一种 29GÿdF4ÿ2乙一种)，应确定电势的初始值以及电子迁移率、能量弛豫时间和载流子温度。为此，我们任意假设静电势在通道中呈线性分布，因此可以计算出每个网格点的电位初始值GÿdF4ÿ2乙一种 (30)GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 是在潜在的初始值GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 - node,GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 （GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ）GÿdF4ÿ2乙一种 是在边界上的潜在价值，以及GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 ÿGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 是第一个和最后一个网格点，分别。GÿdF4ÿ2乙一种

一旦确定了电势的初始分布，我们就相应地使用它来计算网格各节点的电子迁移率、能量弛豫时间和载流子温度的初始值。从…可以清楚地看到GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种) - (GÿdF4ÿ2乙一种 27GÿdF4ÿ2乙一种），这些量是相互关联的，其造成一些计算困难。出于这个原因，我们决定解决他们自洽使用嵌套循环：第一我们计算由场依赖性的电子迁移率（GÿdF4ÿ2乙一种 19GÿdF4ÿ2乙一种）用（GÿdF4ÿ2乙一种 17GÿdF4ÿ2乙一种), (GÿdF4ÿ2乙一种 18GÿdF4ÿ2乙一种），以及（GÿdF4ÿ2乙一种 21GÿdF4ÿ2乙一种）;然后用电子温度等于300°K的初始值，我们迭代计算使用电子迁移率，能量弛豫时间，和载体的温度GÿdF4ÿ2乙一种 (31)GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 XGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 ΔGÿdF4ÿ2乙一种 /GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (32)GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 经验值GÿdF4ÿ2乙一种 ⁡GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 (33)GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 ŤGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 qGÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 τGÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种 ĴGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 ∙GÿdF4ÿ2乙一种 FGÿdF4ÿ2乙一种 ñGÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 公斤ÿdF4ÿ2乙一种 为迭代数。GÿdF4ÿ2乙一种

计算的初值为(GÿdF4ÿ2乙一种 30.GÿdF4ÿ2乙一种) - (GÿdF4ÿ2乙一种 33GÿdF4ÿ2乙一种)已被利用成GÿdF4ÿ2乙一种 29GÿdF4ÿ2乙一种）这又已经迭代求解。在每次迭代中，电子迁移率，能量弛豫时间，以及电子温度一直在使用最近计算出的电势分布修改。此过程的结果是沟道电位，电子温度，并沿着每个固定栅极电压和漏极电压的沟道电子迁移率的空间分布。GÿdF4ÿ2乙一种

Last可用于(GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种)来提取I-V特性。对自对准HEMT结构的漏极电流进行了上述计算;否则，应包括不位于晶体管栅下的沟道区域的电阻对漏极电流的影响。为此，在通道的源端和漏端调用以下边界条件是至关重要的:GÿdF4ÿ2乙一种 （34A）GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 0GÿdF4ÿ2乙一种 ;GÿdF4ÿ2乙一种 （34b）的GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 CGÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 =GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 -GÿdF4ÿ2乙一种 一世GÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 +GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 ，GÿdF4ÿ2乙一种 在哪里GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 和GÿdF4ÿ2乙一种 [RGÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 是漏极和源极的电阻，分别。GÿdF4ÿ2乙一种

将这些边界条件应用于(GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种)对于每个后续的迭代步骤，可以计算漏极电流允许漏极和源电阻。GÿdF4ÿ2乙一种

 3.结果与讨论GÿdF4ÿ2乙一种

我们的模型(GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种) - (GÿdF4ÿ2乙一种 34 bGÿdF4ÿ2乙一种)用于模拟图中所示的HEMT晶体管的I-V特性GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种有栅极长度GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500海里,GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 = 500海里,GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 = 3纳米，GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 = 45 nm制程,GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 = 3×10GÿdF4ÿ2乙一种17GÿdF4ÿ2乙一种厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种，GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 = -5×10GÿdF4ÿ2乙一种15GÿdF4ÿ2乙一种厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种,GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 = 2GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种米我们模型的核心组成部分，是精确计算信道内的每个点的电位分布。这可以被用于确定的电场分布和电子迁移率，而这又需要用于漏电流的计算。GÿdF4ÿ2乙一种

数字GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种示出的电位的数值计算空间分布（a）中，电子迁移率（b）中，电子温度（c）中，电场（d）中，电子漂移速度（e）和X轴和GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 -valley人口比率（F）HEMT晶体管的漏极电压的不同值在所述通道内。GÿdF4ÿ2乙一种

数值计算空间分布的潜在(a),电子流动性(b),电子温度(c),电场(d),电子漂移速度(e)و和X和GÿdF4ÿ2乙一种 ΓGÿdF4ÿ2乙一种 -沟道内漏极电压值不同时的谷区分布比(f)GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 。栅极长度和栅极电压为GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500nm和GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 0.5 V，分别。GÿdF4ÿ2乙一种

结果如图所示GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种发现,门的长度GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500nm，漏极电压可达GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 = 0.1 V时，通道内电场的分布呈线性。但当漏极电压大于0.1 V时，通道内电场增大，不均匀性增强。这进而导致电子温度的升高，电子迁移率随电子漂移速度的降低而相应降低。如图所示GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种，电子温度在漏极端达到最大值，电子的迁移率降低，这与漏极周围区域的电阻增加有关。电阻的增加导致电场分布不均匀性增强，从图中可以清楚地看出GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种。GÿdF4ÿ2乙一种

与栅极长度的AlGaAs /砷化镓HEMT晶体管的电流 - 电压特性GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500nm用(GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种）（参见图GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种)允许获得通道内电场和电子迁移率的空间分布。检查图GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种强调漏极电流在漏极电压处饱和GÿdF4ÿ2乙一种 üGÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 = 0.05 - 0.2 V。GÿdF4ÿ2乙一种

的AlGaAs /砷化镓HEMT的电流 - 电压特性与500nm的栅极长度。GÿdF4ÿ2乙一种

为了评估所提模型的有效性，我们完成了一项对比研究，将模拟I-V曲线与来自[GÿdF4ÿ2乙一种 21GÿdF4ÿ2乙一种用于与栅极长度的GaAs /的AlGaAs HEMT晶体管GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500纳米，厚度的势垒层GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 乙GÿdF4ÿ2乙一种 = 49纳米，栅极宽度GÿdF4ÿ2乙一种 w ^GÿdF4ÿ2乙一种 = 200GÿdF4ÿ2乙一种 μGÿdF4ÿ2乙一种米，掺杂浓度GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 dGÿdF4ÿ2乙一种 = 1×10GÿdF4ÿ2乙一种17GÿdF4ÿ2乙一种厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种，即表面态的电荷GÿdF4ÿ2乙一种 NgÿdF4ÿ2乙一种 小号GÿdF4ÿ2乙一种 = -5×10GÿdF4ÿ2乙一种15GÿdF4ÿ2乙一种厘米GÿdF4ÿ2乙一种-3GÿdF4ÿ2乙一种厚度的和未掺杂的沟道层GÿdF4ÿ2乙一种 HGÿdF4ÿ2乙一种 = 500海里。GÿdF4ÿ2乙一种

结果呈现于图GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种表明之间的实验数据和仿真结果的协议是很好的，这证实了模型的有效性来形容HEMT结构。与小栅极电压实验曲线分歧可以归因于源极和漏极电阻的电压依赖性值。GÿdF4ÿ2乙一种

实验(GÿdF4ÿ2乙一种 21GÿdF4ÿ2乙一种(带圆标记的虚线)和模拟(实线)HEMT晶体管的电流-电压特性GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500海里。GÿdF4ÿ2乙一种

在分析了AlGaAs/GaAs HEMT晶体管并与实际的AlGaAs/GaAs HEMT晶体管进行了比较之后，我们估计了所提出模型的有效性以及考虑谷间跃迁效应对I-V特性的预测能力。在所提议的模型中加入物理器件的几何结构，使其更有能力模拟HEMT晶体管之外的不同器件。GÿdF4ÿ2乙一种

 4.结论GÿdF4ÿ2乙一种

提出了一种基于准二维物理的模拟HEMT晶体管的新方法。所提方法的重要特点是，I-V特性的计算已由(GÿdF4ÿ2乙一种 16GÿdF4ÿ2乙一种)而不用任何平滑函数来连接I-V曲线的线性和饱和区域。谷间跃迁对电子迁移率的影响已被评估。通过比较GaAs/AlGaAs HEMT晶体管的实验I-V曲线与栅长，验证了该模型的正确性GÿdF4ÿ2乙一种 大号GÿdF4ÿ2乙一种 GGÿdF4ÿ2乙一种 = 500海里。与实验数据吻合较好。GÿdF4ÿ2乙一种

 数据可用性GÿdF4ÿ2乙一种

（1）模型的数据推导用于支持本研究包括在制品内的调查结果。（2）电子迁移率模型此前报道数据被用来支持该研究并在DOIаrе可用：10.1016 / 0038-1101（93）90213-A和L.于。Biryukova，V. A.尼古拉耶娃，V. I. Ryzhy，和B. N. Chetverushkin，“亚微米半导体struсtures的电子等离子体在计算过程中的准水动力学模型的算法，”数学建模，第一卷。1，рр。11-22,1989。这些рriоr研究（和数据集）аrе在相关位置正文中引用作为参考[GÿdF4ÿ2乙一种 25GÿdF4ÿ2乙一种，GÿdF4ÿ2乙一种 26GÿdF4ÿ2乙一种]。(3)模拟结果的数据用于支持本研究的发现аrе包含在这篇文章。(4)之前报道的实验数据的电流电压特性НЕМТ被用来支持这项研究和аrеDOI: 10.1016 / j.sse.2016.09.013。这些先前的研究(和数据集)аrе援引文本中有关地方文献[GÿdF4ÿ2乙一种 21GÿdF4ÿ2乙一种]。GÿdF4ÿ2乙一种

 的利益冲突GÿdF4ÿ2乙一种

作者声明，本论文的发表不存在任何利益冲突。GÿdF4ÿ2乙一种

 致谢GÿdF4ÿ2乙一种

这项工作是由“南方的发展计划联邦大学达2021”的资金支持（项目VnGr-07 / 2017-10）。GÿdF4ÿ2乙一种

 照GÿdF4ÿ2乙一种 H.-C.GÿdF4ÿ2乙一种 王GÿdF4ÿ2乙一种 H.-C.GÿdF4ÿ2乙一种 杨GÿdF4ÿ2乙一种 C.-W.GÿdF4ÿ2乙一种 黄GÿdF4ÿ2乙一种 F.-H.GÿdF4ÿ2乙一种 花王GÿdF4ÿ2乙一种 H.-L.GÿdF4ÿ2乙一种 上的Si衬底HEMT技术领域镀砷化镓微波和电力电子应用（邀请）GÿdF4ÿ2乙一种 在IEEE国际会议的电子器件和固态电路，EDSSC 2014论文集GÿdF4ÿ2乙一种 2014年6月GÿdF4ÿ2乙一种 中国GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84983158480GÿdF4ÿ2乙一种 安藤GÿdF4ÿ2乙一种 我。GÿdF4ÿ2乙一种 TanioGÿdF4ÿ2乙一种 M。GÿdF4ÿ2乙一种 伊藤GÿdF4ÿ2乙一种 M。GÿdF4ÿ2乙一种 KuwabaraGÿdF4ÿ2乙一种 T。GÿdF4ÿ2乙一种 丸本GÿdF4ÿ2乙一种 T。GÿdF4ÿ2乙一种 KunihiroGÿdF4ÿ2乙一种 K。GÿdF4ÿ2乙一种 采用GaAs HEMT技术的无线d波段通信可达60gbit /s, 64QAMGÿdF4ÿ2乙一种 IEEE无线电和无线研讨会论文集，RWS 2016GÿdF4ÿ2乙一种 2016年1月GÿdF4ÿ2乙一种 美国GÿdF4ÿ2乙一种 193GÿdF4ÿ2乙一种 195GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84964621529GÿdF4ÿ2乙一种 合同GÿdF4ÿ2乙一种 w·R。GÿdF4ÿ2乙一种 梁GÿdF4ÿ2乙一种 K。GÿdF4ÿ2乙一种 萨莫拉GÿdF4ÿ2乙一种 一种。GÿdF4ÿ2乙一种 RadisicGÿdF4ÿ2乙一种 V.GÿdF4ÿ2乙一种 梅GÿdF4ÿ2乙一种 x B。GÿdF4ÿ2乙一种 TMIC技术升级到850ghz的最新进展GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE MTT-S国际微波研讨会论文集，IMS 2014GÿdF4ÿ2乙一种 2014年6月GÿdF4ÿ2乙一种 美国GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84905014858GÿdF4ÿ2乙一种 MemonGÿdF4ÿ2乙一种 N. M.GÿdF4ÿ2乙一种 艾哈迈德GÿdF4ÿ2乙一种 M. M.GÿdF4ÿ2乙一种 拉赫曼GÿdF4ÿ2乙一种 F。GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs MESFET输出特性的综合四参数I-V模型GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2007GÿdF4ÿ2乙一种 51GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 511GÿdF4ÿ2乙一种 516GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 34047176093GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2006.12.011GÿdF4ÿ2乙一种 AsgariGÿdF4ÿ2乙一种 一种。GÿdF4ÿ2乙一种 KalafiGÿdF4ÿ2乙一种 M。GÿdF4ÿ2乙一种 FaraoneGÿdF4ÿ2乙一种 lGÿdF4ÿ2乙一种 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的准二维电荷输运模型GÿdF4ÿ2乙一种 物理学:低维系统和纳米结构GÿdF4ÿ2乙一种 2005GÿdF4ÿ2乙一种 28GÿdF4ÿ2乙一种 4GÿdF4ÿ2乙一种 491GÿdF4ÿ2乙一种 499GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 24144437414GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.physe.2005.05.054GÿdF4ÿ2乙一种 王GÿdF4ÿ2乙一种 X.-D。GÿdF4ÿ2乙一种 胡GÿdF4ÿ2乙一种 W.-D.GÿdF4ÿ2乙一种 程ÿdF4ÿ2乙一种 X.-S。GÿdF4ÿ2乙一种 陆GÿdF4ÿ2乙一种 W.GÿdF4ÿ2乙一种 藻/氮双通道血红素自热及热电子效应的研究GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 2012GÿdF4ÿ2乙一种 59GÿdF4ÿ2乙一种 五GÿdF4ÿ2乙一种 1393GÿdF4ÿ2乙一种 1401GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84862807893GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / TED.2012.2188634GÿdF4ÿ2乙一种 阿布拉莫夫GÿdF4ÿ2乙一种 我我。GÿdF4ÿ2乙一种 微纳电子器件的物理问题和原理及模拟。2半经典方法的模型GÿdF4ÿ2乙一种 纳米和微系统技术GÿdF4ÿ2乙一种 2006GÿdF4ÿ2乙一种 9GÿdF4ÿ2乙一种 26GÿdF4ÿ2乙一种 36GÿdF4ÿ2乙一种 阿布拉莫夫GÿdF4ÿ2乙一种 我我。GÿdF4ÿ2乙一种 微电子与奈米电子学建模元件的基础GÿdF4ÿ2乙一种 2016GÿdF4ÿ2乙一种 德国GÿdF4ÿ2乙一种 LAP LAMBERT学术出版GÿdF4ÿ2乙一种 佳GÿdF4ÿ2乙一种 Y.GÿdF4ÿ2乙一种 许GÿdF4ÿ2乙一种 Y.GÿdF4ÿ2乙一种 赵GÿdF4ÿ2乙一种 X。GÿdF4ÿ2乙一种 王GÿdF4ÿ2乙一种 c·S。GÿdF4ÿ2乙一种 对的AlGaAs /砷化镓的HEMT甲超宽带经验大信号模型GÿdF4ÿ2乙一种 2016年IEEE MTT-S国际微波研讨会系列的先进材料程序及RF和太赫兹应用，IMWS-AMP 2016GÿdF4ÿ2乙一种 2016年七月GÿdF4ÿ2乙一种 中国GÿdF4ÿ2乙一种 2- s2.0-84994570936GÿdF4ÿ2乙一种 阿利姆GÿdF4ÿ2乙一种 m·A。GÿdF4ÿ2乙一种 RezazadehGÿdF4ÿ2乙一种 A. A.GÿdF4ÿ2乙一种 GaquiereGÿdF4ÿ2乙一种 C。GÿdF4ÿ2乙一种 基于氮化镓和砷化镓的微波器件过温小信号模型参数分析GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2016GÿdF4ÿ2乙一种 119GÿdF4ÿ2乙一种 11GÿdF4ÿ2乙一种 18GÿdF4ÿ2乙一种 2- s2.0-84958780815GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2016.02.002GÿdF4ÿ2乙一种 刘GÿdF4ÿ2乙一种 lGÿdF4ÿ2乙一种 马GÿdF4ÿ2乙一种 J。GÿdF4ÿ2乙一种 吴GÿdF4ÿ2乙一种 H。GÿdF4ÿ2乙一种 NgGÿdF4ÿ2乙一种 G。GÿdF4ÿ2乙一种 张GÿdF4ÿ2乙一种 Q。GÿdF4ÿ2乙一种 非线性HEMT模型直接由I-V/ Q-V特性的二阶导数推导而来GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE/MTT- s国际微波研讨会论文集MTT 2010GÿdF4ÿ2乙一种 2010年5月GÿdF4ÿ2乙一种 美国加利福尼亚州阿纳海姆GÿdF4ÿ2乙一种 1676GÿdF4ÿ2乙一种 1679GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / MWSYM.2010.5515677GÿdF4ÿ2乙一种 BoukorttGÿdF4ÿ2乙一种 N。GÿdF4ÿ2乙一种 CaddemiGÿdF4ÿ2乙一种 一种。GÿdF4ÿ2乙一种 ·卡迪罗GÿdF4ÿ2乙一种 E.GÿdF4ÿ2乙一种 CrupiGÿdF4ÿ2乙一种 G。GÿdF4ÿ2乙一种 HadriGÿdF4ÿ2乙一种 B.GÿdF4ÿ2乙一种 PatanèGÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 基于直流和微波测量的GaAs/GaAs HEMT的逆建模GÿdF4ÿ2乙一种 在电讯在现代卫星，有线和广播服务的第12届国际会议论文集，2015年TELSIKSGÿdF4ÿ2乙一种 2015年10月GÿdF4ÿ2乙一种 塞尔维亚GÿdF4ÿ2乙一种 94GÿdF4ÿ2乙一种 97GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84962467400GÿdF4ÿ2乙一种 RyndinGÿdF4ÿ2乙一种 大肠。GÿdF4ÿ2乙一种 Al-SamanGÿdF4ÿ2乙一种 A. A.GÿdF4ÿ2乙一种 隧穿耦合量子阱中电子密度再位错受控的高速集成开关电路模型GÿdF4ÿ2乙一种 工程科学GÿdF4ÿ2乙一种 2017GÿdF4ÿ2乙一种 3GÿdF4ÿ2乙一种 178GÿdF4ÿ2乙一种 188GÿdF4ÿ2乙一种 韦勒GÿdF4ÿ2乙一种 m . H。GÿdF4ÿ2乙一种 AyasliGÿdF4ÿ2乙一种 Y.GÿdF4ÿ2乙一种 Alxga1-Xas/Gaas高电子迁移率晶体管的直流和微波模型GÿdF4ÿ2乙一种 Ieee电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 1984年GÿdF4ÿ2乙一种 31GÿdF4ÿ2乙一种 1854GÿdF4ÿ2乙一种 1861GÿdF4ÿ2乙一种 刘GÿdF4ÿ2乙一种 K.-W.GÿdF4ÿ2乙一种 安瓦尔GÿdF4ÿ2乙一种 a·f·M。GÿdF4ÿ2乙一种 GaAs/AlGaAs倒置高电子迁移率晶体管小信号参数分析模型GÿdF4ÿ2乙一种 微电子学杂志GÿdF4ÿ2乙一种 2001GÿdF4ÿ2乙一种 32GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 85GÿdF4ÿ2乙一种 88GÿdF4ÿ2乙一种 2- s2.0-0035201130GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / S0026-2692（00）00110-5GÿdF4ÿ2乙一种 口GÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 亚达夫GÿdF4ÿ2乙一种 C。GÿdF4ÿ2乙一种 AgnihotriGÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 肖汉GÿdF4ÿ2乙一种 Y. S.GÿdF4ÿ2乙一种 CurutchetGÿdF4ÿ2乙一种 一种。GÿdF4ÿ2乙一种 齐默GÿdF4ÿ2乙一种 T。GÿdF4ÿ2乙一种 De JaegerGÿdF4ÿ2乙一种 J.-C。GÿdF4ÿ2乙一种 DefranceGÿdF4ÿ2乙一种 N。GÿdF4ÿ2乙一种 冰蚀高原GÿdF4ÿ2乙一种 T. A.GÿdF4ÿ2乙一种 基于表面电位的gan hemt集成电路设计的鲁棒紧凑模型GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 2013GÿdF4ÿ2乙一种 60GÿdF4ÿ2乙一种 10GÿdF4ÿ2乙一种 3216GÿdF4ÿ2乙一种 3222GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84884819522GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / TED.2013.2265320GÿdF4ÿ2乙一种 口GÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 戈亚尔GÿdF4ÿ2乙一种 N。GÿdF4ÿ2乙一种 冰蚀高原GÿdF4ÿ2乙一种 T. A.GÿdF4ÿ2乙一种 在的AlGaN / GaN HEMT器件为2DEG电荷密度基于物理的分析模型GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 2011GÿdF4ÿ2乙一种 58GÿdF4ÿ2乙一种 10GÿdF4ÿ2乙一种 3622GÿdF4ÿ2乙一种 3625GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 80053193821GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / TED.2011.2161314GÿdF4ÿ2乙一种 程GÿdF4ÿ2乙一种 X。GÿdF4ÿ2乙一种 王GÿdF4ÿ2乙一种 Y.GÿdF4ÿ2乙一种 一种基于表面电位的AlGaN/GaN模型的紧凑模型GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 2011GÿdF4ÿ2乙一种 58GÿdF4ÿ2乙一种 2GÿdF4ÿ2乙一种 448GÿdF4ÿ2乙一种 454GÿdF4ÿ2乙一种 2- s2.0-79151473286GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / TED.2010.2089690GÿdF4ÿ2乙一种 口GÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 肖汉GÿdF4ÿ2乙一种 Y. S.GÿdF4ÿ2乙一种 冰蚀高原GÿdF4ÿ2乙一种 T. A.GÿdF4ÿ2乙一种 AlGaN/GaN HEMT器件表面电位和内在电荷的分析建模GÿdF4ÿ2乙一种 IEEE电子设备学报GÿdF4ÿ2乙一种 2012GÿdF4ÿ2乙一种 59GÿdF4ÿ2乙一种 10GÿdF4ÿ2乙一种 2856GÿdF4ÿ2乙一种 2860GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84866730026GÿdF4ÿ2乙一种 10.1109 / TED.2012.2209654GÿdF4ÿ2乙一种 口GÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 冰蚀高原GÿdF4ÿ2乙一种 T. A.GÿdF4ÿ2乙一种 基于物理的紧凑模型的I-V和C-V特性在AlGaN/GaN HEMT器件GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2012GÿdF4ÿ2乙一种 76GÿdF4ÿ2乙一种 60GÿdF4ÿ2乙一种 66GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84863091717GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2012.05.054GÿdF4ÿ2乙一种 阿利姆GÿdF4ÿ2乙一种 m·A。GÿdF4ÿ2乙一种 RezazadehGÿdF4ÿ2乙一种 A. A.GÿdF4ÿ2乙一种 GaquiereGÿdF4ÿ2乙一种 C。GÿdF4ÿ2乙一种 微波氮化镓和砷化镓基HEMTs的多偏置和热行为GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2016GÿdF4ÿ2乙一种 126GÿdF4ÿ2乙一种 67GÿdF4ÿ2乙一种 74GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 84993953210GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2016.09.013GÿdF4ÿ2乙一种 PalankovskiGÿdF4ÿ2乙一种 V.GÿdF4ÿ2乙一种 码头GÿdF4ÿ2乙一种 R。GÿdF4ÿ2乙一种 计算微电子GÿdF4ÿ2乙一种 2004GÿdF4ÿ2乙一种 美国纽约GÿdF4ÿ2乙一种 施普林格GÿdF4ÿ2乙一种 VitanovGÿdF4ÿ2乙一种 年代。GÿdF4ÿ2乙一种 PalankovskiGÿdF4ÿ2乙一种 V.GÿdF4ÿ2乙一种 正常关闭的海藻/GaN HEMTs与InGaN cap层:一个模拟研究GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2008GÿdF4ÿ2乙一种 52GÿdF4ÿ2乙一种 11GÿdF4ÿ2乙一种 1791年GÿdF4ÿ2乙一种 1795GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 55049089266GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2008.07.011GÿdF4ÿ2乙一种 SchwierzGÿdF4ÿ2乙一种 F。GÿdF4ÿ2乙一种 一个电子迁移率模型,纤锌矿型氮化镓GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 2005GÿdF4ÿ2乙一种 49GÿdF4ÿ2乙一种 6GÿdF4ÿ2乙一种 889GÿdF4ÿ2乙一种 895GÿdF4ÿ2乙一种 2 - s2.0 - 18844413566GÿdF4ÿ2乙一种 10.1016 / j.sse.2005.03.006GÿdF4ÿ2乙一种 默罕默德GÿdF4ÿ2乙一种 s . N。GÿdF4ÿ2乙一种 比米斯GÿdF4ÿ2乙一种 A. V.GÿdF4ÿ2乙一种 卡特GÿdF4ÿ2乙一种 r . L。GÿdF4ÿ2乙一种 RenbeckGÿdF4ÿ2乙一种 r B。GÿdF4ÿ2乙一种 半导体中电子和空穴的温度、电场和掺杂相关的运动GÿdF4ÿ2乙一种 固态电子GÿdF4ÿ2乙一种 1993年12月GÿdF4ÿ2乙一种 36GÿdF4ÿ2乙一种 1677GÿdF4ÿ2乙一种 1683GÿdF4ÿ2乙一种 BiryukovaGÿdF4ÿ2乙一种 l。GÿdF4ÿ2乙一种 尼古拉耶娃GÿdF4ÿ2乙一种 诉。GÿdF4ÿ2乙一种 RyzhyGÿdF4ÿ2乙一种 V. I.GÿdF4ÿ2乙一种 ChetverushkinGÿdF4ÿ2乙一种 b . N。GÿdF4ÿ2乙一种 准水动力模型计算亚微米半导体结构电子等离子体过程的算法GÿdF4ÿ2乙一种 应用数学建模：模拟和计算工程和环境系统GÿdF4ÿ2乙一种 1989年GÿdF4ÿ2乙一种 1GÿdF4ÿ2乙一种 11GÿdF4ÿ2乙一种 22GÿdF4ÿ2乙一种